气相沉积技术制备 6.5wt% Si 高硅钢
发布时间:2017-09-07 07:33
作者:互联网
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实验研究得,随着Si含量的增加,
电工钢的
电阻率急剧增大,涡流损耗减小,
铁损降低。当Si含量达到6.5%(质量分数,下同)时,综合
磁性能达到最佳,最适合用来制造低损耗、低噪音的高速
电机、
变压器和磁屏蔽等。然而,由于6.5%Si高
硅钢在室温下极易形成有序结构、
晶界氧化且易发生
时效,其
伸长率仅有0.2%,脆性极高,很难采用传统轧制
工艺进行
生产,其生产和应用受到极大制约。为解决这一难题,人们通过大量试验和尝试,发明了许多新工艺和新方法。1988年,
日本JFE
公司利用轧制工艺成功制备出厚0.1~0.5mm、最大宽度400mm无取向6.5%高
硅钢,并进行了
工业化生产。除此之外,各类气相沉积技术也被用来制备高硅钢,如化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)和
等离子体化学气相沉积法(PCVD)等。其中,CVD技术在制备6.5%Si高硅钢上是最为成功的,JFE公司采用CVD技术率先建立了世界上第一条6.5%Si高硅钢连续
生产线。气相沉积技术经过几十年的发展,目前在制备耐磨、耐
热、耐
腐蚀硬质涂层及其它方面已取得巨大的成功。化学气相沉积(CVD)是一种化学气相反应生长法。CVD法制备高硅钢的工艺为:将用普通轧制法生产的3.0%Si硅
钢带置于无氧气氛中加热到一定温度,通入SiCl4气体,在钢带表面发生化学反应:SiC14+5Fe→Fe3Si+2FeCl2反应生成的Fe3Si沉积在
钢板表面热分解成活性Si原子,将其置于惰性气氛对钢带进行
平整轧制以消除Si沉积后的不平度,再对其进行高温保温,表面富硅层中的Si原子向内部中心扩散,钢带中的Si含量达到6.5%。物理气相沉积(PVD)是一种物理气相反应生长法,分为真空蒸发镀、
离子镀、溅射镀。相对于CVD法,PVD过程发生在真空条件下,其沉积层纯度高、无有害气体排出,属于无污染技术。等离子体化学气相沉积法(PCVD)技术是作为CVD和PVD技术补充而发展起来的,此技术沉积温度低于600℃,拓宽了基体材料的适用
范围,而且绕镀性能好、涂层均匀。其制备高硅钢的基本原理是渗Si源气体在一定气压和高压电场的作用下,产生辉光放电,被解离成含有Si4+的等离子体沉积在基体表面形成FeSi化合物,再经过高温扩散
退火,使平均Si含量达到6.5%。高硅钢优异的
电磁性能在工业化生产中有着广泛的应用,进一步优化气相沉积法的工艺参数等,使高硅钢的生产和应用尽早、尽快走向工业化和
商业化,必将产生巨大的
经济效益和
社会效益。(马
钢铁)
备注:数据仅供参考,不作为投资依据。